Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SI4914BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
НОВА часть #:
303-2254151-SI4914BDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4914BDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4914 | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Ряд | LITTLE FOOT® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.4A, 8A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | - | |
| Мощность - Макс. | 2.7W, 3.1W | |
| Другие имена | SI4914BDY-T1-GE3CT SI4914BDY-T1-GE3DKR SI4914BDYT1GE3 SI4914BDY-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.