IPG20N06S4L11ATMA2

MOSFET_)40V 60V)
НОВА часть #:
303-2250200-IPG20N06S4L11ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPG20N06S4L11ATMA2
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы
ПроизводительInfineon Technologies
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount, Wettable Flank
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-10
Базовый номер продукта IPG20N06
Пакет/кейс8-PowerVDFN
РядAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.2V @ 28µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 53nC @ 10V
Полевой транзисторLogic Level Gate
Тип полевого транзистора2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)60V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4020pF @ 25V
Мощность - Макс. 65W (Tc)
Другие имена448-IPG20N06S4L11ATMA2TR
SP001404020
448-IPG20N06S4L11ATMA2DKR
448-IPG20N06S4L11ATMA2CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.