EPC2111

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

НОВА часть #:

303-2243243-EPC2111

Производитель:

Номер детали производителя:

EPC2111

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	EPC
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Die
Пакет/кейс	Die
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Полевой транзистор	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Напряжение сток-исток (Vdss)	30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Мощность - Макс.	-
Другие имена	917-1174-6 917-1174-2 917-1174-1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!