SQS966ENW-T1

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHAN 60V

НОВА часть #:

303-2249462-SQS966ENW-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQS966ENW-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8W Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8W Dual
Базовый номер продукта	SQS966
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8W Dual
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	8.8nC @ 10V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	60V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	572pF @ 25V
Мощность - Макс.	27.8W (Tc)
Другие имена	SQS966ENW-T1_GE3CT SQS966ENW-T1_GE3DKR SQS966ENW-T1_GE3TR

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!