SI5915BDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
НОВА часть #:
303-2254329-SI5915BDC-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI5915BDC-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™
Базовый номер продукта SI5915
Пакет/кейс8-SMD, Flat Lead
РядTrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 14nC @ 8V
Полевой транзисторLogic Level Gate
Тип полевого транзистора2 P-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 420pF @ 4V
Мощность - Макс. 3.1W

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.