SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
НОВА часть #:
303-2361103-SI4931DY-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4931DY-T1-E3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Базовый номер продукта SI4931
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
РядTrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id 1V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 52nC @ 4.5V
Полевой транзисторLogic Level Gate
Тип полевого транзистора2 P-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds -
Мощность - Макс. 1.1W
Другие именаSI4931DYT1E3
SI4931DY-T1-E3CT
SI4931DY-T1-E3DKR
SI4931DY-T1-E3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.