Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Категория | Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно смещенные | |
Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | VESM | |
Базовый номер продукта | RN1106 | |
Ряд | - | |
Резистор - база (R1) | 4.7 kOhms | |
Резистор — база эмиттера (R2) | 47 kOhms | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
Пакет/кейс | SOT-723 | |
Ток — отсечка коллектора (макс.) | 500nA | |
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V | |
Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100 mA | |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | |
Мощность - Макс. | 150 mW | |
Другие имена | RN1106MFV,L3F(T RN1106MFVL3F-ND RN1106MFV,L3F(B RN1106MFVL3F(B RN1106MFVL3F(T RN1106MFVL3FDKR RN1106MFVL3F RN1106MFVL3FTR RN1106MFVL3FCT |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.