MT3S111TU,LF

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
НОВА часть #:
302-2017671-MT3S111TU,LF
Производитель:
Номер детали производителя:
MT3S111TU,LF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM

More Information
КатегорияТранзисторы - биполярные (BJT) - RF
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика UFM
Базовый номер продукта MT3S111
Ряд-
Коэффициент шума (дБ тип. @ f)0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Пакет/кейс3-SMD, Flat Lead
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Частота – переход10GHz
Прирост 12.5dB
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)6V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Тип транзистораNPN
Мощность - Макс. 800mW
Другие именаMT3S111TULFDKR
MT3S111TU,LF(T
MT3S111TU,LF(B
MT3S111TULFCT
MT3S111TULFTR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.