EMF24T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
НОВА часть #:
299-2017501-EMF24T2R
Производитель:
Номер детали производителя:
EMF24T2R
Стандартный пакет:
8,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6

More Information
КатегорияТранзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные
ПроизводительRohm Semiconductor
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика EMT6
Базовый номер продукта EMF24
Ряд-
Пакет/кейсSOT-563, SOT-666
Резистор - база (R1)10kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10kOhms
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Частота – переход250MHz, 180MHz
Ток — отсечка коллектора (макс.)500nA
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)50V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA, 150mA
Тип транзистора1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Мощность - Макс. 150mW

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.