IMB7AT108

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
НОВА часть #:
299-2017109-IMB7AT108
Производитель:
Номер детали производителя:
IMB7AT108
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 300mW Surface Mount SOT-457

More Information
КатегорияТранзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные
ПроизводительRohm Semiconductor
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-457
Базовый номер продукта IMB7AT108
Ряд-
Пакет/кейсSOT-457
Резистор - база (R1)4.7kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Частота – переход-
Ток — отсечка коллектора (макс.)-
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)50V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс. 300mW

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.