RN1907,LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
НОВА часть #:
299-2017504-RN1907,LF
Производитель:
Номер детали производителя:
RN1907,LF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

More Information
КатегорияТранзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные
ПроизводительToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика US6
Базовый номер продукта RN1907
Ряд-
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Резистор - база (R1)10kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47kOhms
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Частота – переход250MHz
Ток — отсечка коллектора (макс.)500nA
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)50V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Тип транзистора2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс. 200mW
Другие именаRN1907LFTR
RN1907LFDKR
RN1907LFCT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.