EMF8T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
НОВА часть #:
299-2017210-EMF8T2R
Производитель:
Номер детали производителя:
EMF8T2R
Стандартный пакет:
8,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6

More Information
КатегорияТранзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные
ПроизводительRohm Semiconductor
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика EMT6
Базовый номер продукта EMF8T2
Ряд-
Пакет/кейсSOT-563, SOT-666
Резистор - база (R1)47kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47kOhms
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Частота – переход250MHz, 320MHz
Ток — отсечка коллектора (макс.)500nA
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)50V, 12V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA, 500mA
Тип транзистора1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Мощность - Макс. 150mW

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.