Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IMD2AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
НОВА часть #:
299-2013183-IMD2AT108
Производитель:
Номер детали производителя:
IMD2AT108
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
| Категория | Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SMT6 | |
| Базовый номер продукта | IMD2AT108 | |
| Ряд | - | |
| Пакет/кейс | SC-74, SOT-457 | |
| Резистор - база (R1) | 22kOhms | |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 22kOhms | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| Частота – переход | 250MHz | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 500nA | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 50V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA | |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Мощность - Макс. | 300mW | |
| Другие имена | IMD2AT108DKR IMD2AT108TR IMD2AT108-ND IMD2AT108CT |
In stock Нужно больше?
0,07730 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMSZ5245C-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FDS6680ASonsemi
STPS30L45CWSTMicroelectronics
BZT52H-C3V9,115NXP USA Inc.
SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix
NCV7808BDTGonsemi
BQ24735RGRTTexas Instruments
416131160801Würth Elektronik
IRF4905PBFInfineon Technologies
BZT52H-C24,115Nexperia USA Inc.
