Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | 6-UDFNB (2x2) | |
Базовый номер продукта | SSM6J512 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | U-MOSVII | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Ta) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 8V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | 6-WDFN Exposed Pad | |
VGS (макс.) | ±10V | |
Тип полевого транзистора | P-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1400 pF @ 6 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta) | |
Другие имена | SSM6J512NU,LF(T SSM6J512NULFCT SSM6J512NULFTR SSM6J512NULFDKR SSM6J512NU,LF(B |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.