APT70GR65B2SCD30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Número da pe?a NOVA:
310-2356898-APT70GR65B2SCD30
Número da pe?a do fabricante:
APT70GR65B2SCD30
Embalagem padr?o:
1

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IGBT NPT 650 V 134 A 595 W Through Hole T-MAX™ [B2]

More Information
CategoriaTransistores - IGBTs - Simples
FabricanteMicrosemi Corporation
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor T-MAX™ [B2]
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)650 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 134 A
Series-
Tipo IGBTNPT
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)260 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Taxa de Portão305 nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C 19ns/170ns
Pacote / EstojoTO-247-3
Potência - Máx. 595 W
Condição de teste 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Outros nomesAPT70GR65B2SCD30-ND
150-APT70GR65B2SCD30

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