FII30-12E

IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Número da pe?a NOVA:
305-2345170-FII30-12E
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FII30-12E
Embalagem padr?o:
24
Ficha técnica:

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IGBT Array NPT Half Bridge 1200 V 33 A 150 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

More Information
CategoriaTransistores - IGBTs - Arrays
FabricanteIXYS
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor ISOPLUS i4-PAC™
EntradaStandard
ConfiguraçãoHalf Bridge
Corrente - Corte do Coletor (Máx)200 µA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 1.2 nF @ 25 V
Termistor NTCNo
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 33 A
Series-
Pacote / Estojoi4-Pac™-5
Tipo IGBTNPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
Potência - Máx. 150 W

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