FDN363N

N-CHANNEL POWER MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2269103-FDN363N
Número da pe?a do fabricante:
FDN363N
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 100 V 1A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SuperSOT™-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor SuperSOT™-3
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesPowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 500mW (Tc)
Outros nomes2156-FDN363N
FAIFSCFDN363N

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