SISS72DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2288121-SISS72DN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SISS72DN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 150 V 7A (Ta), 25.5A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base	SISS72
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	7A (Ta), 25.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	150 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550 pF @ 75 V
Dissipação de energia (máx.)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Outros nomes	SISS72DN-T1-GE3CT SISS72DN-T1-GE3DKR SISS72DN-T1-GE3TR