SI7898DP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

312-2273454-SI7898DP-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI7898DP-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SI7898
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	150 V
Dissipação de energia (máx.)	1.9W (Ta)
Outros nomes	SI7898DPT1GE3 SI7898DP-T1-GE3TR SI7898DP-T1-GE3DKR SI7898DP-T1-GE3CT