SI2303CDS-T1-BE3

MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Número da pe?a NOVA:
312-2284551-SI2303CDS-T1-BE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI2303CDS-T1-BE3
Embalagem padr?o:
3,000

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P-Channel 30 V 1.9A (Ta), 2.7A (Tc) 1W (Ta), 2.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base SI2303
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETP-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 155 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.) 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Outros nomes742-SI2303CDS-T1-BE3DKR
742-SI2303CDS-T1-BE3TR
742-SI2303CDS-T1-BE3CT

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