BSC060N10NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2282995-BSC060N10NS3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC060N10NS3GATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 100 V 14.9A (Ta), 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC060
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	14.9A (Ta), 90A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Outros nomes	BSC060N10NS3 G BSC060N10NS3 GDKR BSC060N10NS3GATMA1TR BSC060N10NS3 G-ND SP000446584 BSC060N10NS3 GTR BSC060N10NS3 GTR-ND BSC060N10NS3GATMA1CT BSC060N10NS3 GCT-ND BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC060N10NS3 GDKR-ND BSC060N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC060N10NS3G BSC060N10NS3GATMA1DKR BSC060N10NS3 GCT