IPB64N25S320ATMA1

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MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Número da pe?a NOVA:

312-2283503-IPB64N25S320ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB64N25S320ATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3-2
Número do produto base	IPB64N25
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	64A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	89 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	250 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7000 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Outros nomes	IPB64N25S320ATMA1CT IPB64N25S320ATMA1TR IPB64N25S320ATMA1DKR SP000876596