Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
BUK9E4R4-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2344887-BUK9E4R4-80E,127
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BUK9E4R4-80E,127
Embalagem padr?o:
50
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N-Channel 80 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | I2PAK | |
| Número do produto base | BUK9 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17130 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 349W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-BUK9E4R4-80E127-NX NEXNXPBUK9E4R4-80E,127 568-9875-5 934066515127 BUK9E4R480E127 |
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