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N-Channel 1200 V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Series | Z-FET™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tj) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8 nC @ 20 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | Die | |
Vgs (Máx.) | +25V, -5V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1915 pF @ 800 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 313mW (Tj) |
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