BSC190N12NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2282860-BSC190N12NS3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC190N12NS3GATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC190
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.6A (Ta), 44A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 42µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	120 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 60 V
Dissipação de energia (máx.)	69W (Tc)
Outros nomes	BSC190N12NS3 GCT-ND BSC190N12NS3 GCT BSC190N12NS3 GDKR-ND BSC190N12NS3 GTR-ND BSC190N12NS3GATMA1TR SP000652752 BSC190N12NS3 G BSC190N12NS3 GTR BSC190N12NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC190N12NS3GATMA1DKR BSC190N12NS3G BSC190N12NS3GATMA1CT BSC190N12NS3 GDKR BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC190N12NS3 G-ND