Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2263562-IRF630
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF630
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
Formato de download disponível
Por favor, preencha suas informa??es no formulário e entraremos em contato o mais breve possível e forneceremos o modelo cad.
N-Channel 200 V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220 | |
| Número do produto base | IRF6 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | MESH OVERLAY™ II | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 75W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-2757-5 497-2757-5-NDR |
In stock Precisa de mais?
0,86710 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
CD74HCT86ETexas Instruments
FQP10N20Consemi
IRF530PBFVishay Siliconix- IRF9540PBFVishay Siliconix
IRF630NPBFInfineon Technologies- IRF640NPBFInfineon Technologies
RCX100N25Rohm Semiconductor
LT1102CN8#PBFAnalog Devices Inc.
IRF9630PBF-BE3Vishay Siliconix
LM337LZ/NOPBTexas Instruments- IRF630PBF-BE3Vishay Siliconix
- IRF620PBFVishay Siliconix
- LT1012CN8#PBFAnalog Devices Inc.
- LT1010CN8#PBFAnalog Devices Inc.
