SISS63DN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2361549-SISS63DN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SISS63DN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 20 V 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base	SISS63
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen III
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	236 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7080 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	5W (Ta), 65.8W (Tc)
Outros nomes	742-SISS63DN-T1-GE3CT 742-SISS63DN-T1-GE3DKR 742-SISS63DN-T1-GE3TR