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P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263 (D²Pak) | |
Número do produto base | SQM120 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1mOhm @ 30A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) | |
Outros nomes | SQM120P10_10M1LGE3-ND SQM120P10 10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3TR SQM120P10_10M1LGE3CT SQM120P10_10M1LGE3DKR |
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