Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
SCTH100N65G2-7AG
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Número da pe?a NOVA:
312-2273505-SCTH100N65G2-7AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCTH100N65G2-7AG
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
Formato de download disponível
Por favor, preencha suas informa??es no formulário e entraremos em contato o mais breve possível e forneceremos o modelo cad.
N-Channel 650 V 95A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | H2PAK-7 | |
| Número do produto base | SCTH100 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 95A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 18 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3315 pF @ 520 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-SCTH100N65G2-7AGDKR 497-SCTH100N65G2-7AGCT 497-SCTH100N65G2-7AGTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NTH4L015N065SC1onsemi
SCTW100N65G2AGSTMicroelectronics
NTBG015N065SC1onsemi- NVBG040N120SC1onsemi
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronics
SCT3030AW7TLRohm Semiconductor
SCTH90N65G2V-7STMicroelectronics
SCT3030ALHRC11Rohm Semiconductor- SCT3022ALHRC11Rohm Semiconductor
UF3C065030B3UnitedSiC
