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TSM1NB60CW RPG
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2263682-TSM1NB60CW RPG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM1NB60CW RPG
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
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N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223 | |
| Número do produto base | TSM1NB60 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 138 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 39W (Tc) | |
| Outros nomes | TSM1NB60CWRPGDKR TSM1NB60CWRPGCT TSM1NB60CWRPGTR TSM1NB60CW RPGDKR-ND TSM1NB60CW RPGTR-ND TSM1NB60CW RPGCT-ND TSM1NB60CW RPGTR TSM1NB60CW RPGCT TSM1NB60CW RPGDKR |
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