C3M0120090D

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2272787-C3M0120090D
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0120090D
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:

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N-Channel 900 V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteWolfspeed, Inc.
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-247-3
Número do produto base C3M0120090
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
SeriesC3M™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-247-3
Vgs (Máx.)+18V, -8V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)900 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 414 pF @ 600 V
Dissipação de energia (máx.) 97W (Tc)
Outros nomes1697-C3M0120090D
C3M0120090D-ND
-3312-C3M0120090D

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