IPZ65R019C7XKSA1

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MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

Número da pe?a NOVA:

312-2265016-IPZ65R019C7XKSA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPZ65R019C7XKSA1

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO247-4
Número do produto base	IPZ65R019
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ C7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2.92mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	215 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-247-4
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9900 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	446W (Tc)
Outros nomes	SP001024002