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P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-UDFNB (2x2) | |
Número do produto base | SSM6J501 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | U-MOSVI | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 4A, 4.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29.9 nC @ 4.5 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | 6-WDFN Exposed Pad | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 10 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) | |
Outros nomes | SSM6J501NULF(TTR SSM6J501NU,LF(B SSM6J501NULF(TDKR SSM6J501NULFCT SSM6J501NU,LF(A SSM6J501NULF SSM6J501NULF(TDKR-ND SSM6J501NULF(TCT SSM6J501NULFDKR SSM6J501NULF(TTR-ND SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NULF(TCT-ND SSM6J501NULFTR |
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