IPB033N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Número da pe?a NOVA:
312-2283555-IPB033N10N5LFATMA1
Número da pe?a do fabricante:
IPB033N10N5LFATMA1
Embalagem padr?o:
1,000

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N-Channel 100 V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

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CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteInfineon Technologies
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TO263-3
Número do produto base IPB033
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesOptiMOS™-5
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 150µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.) 179W (Tc)
Outros nomesIPB033N10N5LFATMA1-ND
SP001503858
2156-IPB033N10N5LFATMA1
IPB033N10N5LFATMA1CT
INFINFIPB033N10N5LFATMA1
IPB033N10N5LFATMA1DKR
IPB033N10N5LFATMA1TR

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