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P-Channel 30 V 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Número do produto base | SI2369 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | TrenchFET® Gen IV | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (Máx.) | +16V, -20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 745 pF @ 15 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) | |
Outros nomes | 742-SI2369BDS-T1-GE3DKR 742-SI2369BDS-T1-GE3TR 742-SI2369BDS-T1-GE3CT |
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