SIHB33N60E-GE3

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MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

Número da pe?a NOVA:

312-2283618-SIHB33N60E-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIHB33N60E-GE3

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D²PAK (TO-263)
Número do produto base	SIHB33
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3508 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	278W (Tc)
Outros nomes	SIHB33N60EGE3