IPD60R280CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2264344-IPD60R280CFD7ATMA1
Número da pe?a do fabricante:
IPD60R280CFD7ATMA1
Embalagem padr?o:
2,500

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N-Channel 650 V 9A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteInfineon Technologies
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TO252-3
Número do produto base IPD60R280
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesCoolMOS™ CFD7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 180µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 807 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 51W (Tc)
Outros nomesSP001634124
IPD60R280CFD7ATMA1DKR
2156-IPD60R280CFD7ATMA1
IPD60R280CFD7
IPD60R280CFD7ATMA1TR
INFINFIPD60R280CFD7ATMA1
IPD60R280CFD7ATMA1CT
IPD60R280CFD7ATMA1-ND

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