SIDR626DP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2264348-SIDR626DP-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIDR626DP-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 60 V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8DC
Número do produto base	SIDR626
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	42.8A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5130 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Outros nomes	SIDR626DP-T1-GE3TR SIDR626DP-T1-GE3DKR SIDR626DP-T1-GE3CT