TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2338279-TPH3208LD
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPH3208LD
Embalagem padr?o:
60
Ficha técnica:

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N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteTransphorm
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 4-PQFN (8x8)
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 8 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo4-PowerDFN
Vgs (Máx.)±18V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 96W (Tc)

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