TPH1R306PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Número da pe?a NOVA:
312-2294625-TPH1R306PL1,LQ
Número da pe?a do fabricante:
TPH1R306PL1,LQ
Embalagem padr?o:
5,000

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N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)

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CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação 175°C
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOP Advance (5x5.75)
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesU-MOSIX-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8100 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Outros nomes264-TPH1R306PL1LQTR
264-TPH1R306PL1LQCT
264-TPH1R306PL1LQDKR
TPH1R306PL1,LQ(M

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