SIA436DJ-T1-GE3

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MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

Número da pe?a NOVA:

312-2281116-SIA436DJ-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIA436DJ-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base	SIA436
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25.2 nC @ 5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Máx.)	±5V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	8 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1508 pF @ 4 V
Dissipação de energia (máx.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Outros nomes	SIA436DJT1GE3 SIA436DJ-T1-GE3TR SIA436DJ-T1-GE3CT SIA436DJ-T1-GE3DKR