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P-Channel 30 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
Número do produto base | SQP50 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5380 pF @ 25 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) | |
Outros nomes | SQP50P03-07_GE3TRINACTIVE SQP50P03-07_GE3TR-ND SQP50P03-07_GE3DKR SQP50P03-07_GE3DKR-ND SQP50P03-07_GE3CT-ND SQP50P03-07_GE3TR SQP50P03-07_GE3CT SQP50P03-07_GE3DKRINACTIVE |
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