IPB60R099P7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK

Número da pe?a NOVA:

312-2289689-IPB60R099P7ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB60R099P7ATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 650 V 31A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3
Número do produto base	IPB60R099
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ P7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 530µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1952 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	117W (Tc)
Outros nomes	IPB60R099P7ATMA1CT IPB60R099P7ATMA1-ND SP001664910 2156-IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7 IPB60R099P7ATMA1TR IPB60R099P7ATMA1DKR IFEINFIPB60R099P7ATMA1