SI7172DP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

312-2279694-SI7172DP-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI7172DP-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 200 V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SI7172
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	77 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2250 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	5.4W (Ta), 96W (Tc)
Outros nomes	SI7172DP-T1-GE3CT SI7172DP-T1-GE3DKR SI7172DPT1GE3 SI7172DP-T1-GE3TR