SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2294085-SQ2301ES-T1_BE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ2301ES-T1_BE3
Embalagem padr?o:
3,000

Formato de download disponível

P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base SQ2301
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)±8V
Tipo FETP-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.) 3W (Tc)
Outros nomes742-SQ2301ES-T1_BE3DKR
742-SQ2301ES-T1_BE3CT
742-SQ2301ES-T1_BE3TR

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