SUD09P10-195-GE3

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MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252

Número da pe?a NOVA:

312-2294196-SUD09P10-195-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SUD09P10-195-GE3

Embalagem padr?o:

2,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Número do produto base	SUD09
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.8A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34.8 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1055 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Outros nomes	SUD09P10-195-GE3CT SUD09P10-195-GE3TR SUD09P10195GE3 SUD09P10-195-GE3DKR