Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
G2R120MT33J
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Número da pe?a NOVA:
312-2283966-G2R120MT33J
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
G2R120MT33J
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
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N-Channel 3300 V 35A - Surface Mount TO-263-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263-7 | |
| Número do produto base | G2R120 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | G2R™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 3300 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | - | |
| Outros nomes | 1242-G2R120MT33J |
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