FQD4P25TM-WS

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2274908-FQD4P25TM-WS

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FQD4P25TM-WS

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Número do produto base	FQD4P25
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	QFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3.1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	250 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 45W (Tc)
Outros nomes	FQD4P25TM_WS-ND FQD4P25TM_WSDKR-ND FQD4P25TM-WSDKR FQD4P25TM-WSTR FQD4P25TM_WS FQD4P25TM-WSCT FQD4P25TM_WSDKR FQD4P25TM_WSTR FQD4P25TM_WSCT-ND FQD4P25TM_WSCT FQD4P25TM_WSTR-ND