IPB048N15N5ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Número da pe?a NOVA:

312-2283590-IPB048N15N5ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB048N15N5ATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3-2
Número do produto base	IPB048
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.6V @ 264µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	150 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7800 pF @ 75 V
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Outros nomes	IPB048N15N5ATMA1DKR IPB048N15N5ATMA1CT IPB048N15N5ATMA1TR IPB048N15N5ATMA1-ND SP001279596