Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Número da pe?a NOVA:
312-2280697-TPH1R712MD,L1Q
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPH1R712MD,L1Q
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
Formato de download disponível
Por favor, preencha suas informa??es no formulário e entraremos em contato o mais breve possível e forneceremos o modelo cad.
P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Número do produto base | TPH1R712 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 182 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10900 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 78W (Tc) | |
| Outros nomes | TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MDL1QDKR TPH1R712MDL1QTR TPH1R712MDL1QCT |
In stock Precisa de mais?
1,79460 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
PCA9675PW,118NXP USA Inc.
PXP018-20QXJNexperia USA Inc.
DMP2008UFG-7Diodes Incorporated
PI3DBS16412ZHEXDiodes Incorporated
1301.9503Schurter Inc.
SIR401DP-T1-GE3Vishay Siliconix
TPN4R712MD,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IRLHS6342TRPBFInfineon Technologies
XZMDKVG78WSunLED
AONR21117Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FDB9503L-F085onsemi
